近日，我国国家信息光电子创新中心（NOEIC）与鹏城实验室联合研制出国内首款2Tb/s硅光互连芯粒，并在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。该团队在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超200G driver和TIA芯片，并攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术，形成了一整套基于硅光芯片的3D 芯粒集成方案。经系统传输测试，8个通道在下一代光模块标准的 224Gb / s PAM4 光信号速率下，TDECQ 均在 2dB 以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达 8×256Gb / s，单片单向互连带宽高达 2Tb / s。
这一成果将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各类光模块产品中，为国内信息光电子技术的率先突围探索出可行路径。
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