近日，美光公司宣布推出了业界率先的232层QLC NAND闪存。这款闪存已经应用于消费级零售端的特定英睿达固态产品中，并且在消费级 OEM端也与2500固态硬盘一同出样。同时，在企业级存储领域也开始进行批量生产。
据美光介绍，这款232层QLC闪存具备2400MT/s的闪存I/O速率，相比于上一代176层QLC闪存提高了50%。此外，读取性能和编程性能分别提升了24%和31%。而且该闪存相较于多家竞争对手的QLC产品来说，具有28%的比特密度优势。
与此同时，美光还发布了采用232层QLC闪存的2500固态硬盘。这款固态硬盘支持PCIe Gen4x4规格，并且使用了无外置缓存设计+HMB方案。它提供了512GB/1TB/2TB三种容量选择，并可以选配M.2 2230/2242/2280三种外形规格。
参数方面，在顺序读取速度上达到了6600MB/s、7100MB/s和7100MB/s不等；在顺序写入速度上达到了3650MB/s、5800MB/s和6000MB/s不等；随机读取速度分别为530K IOPS、900K IOPS和1000K IOPS；随机写入速度分别为860K IOPS、1000K IOPS和1000K IOPS。此外，该产品的读取时延典型值为50微秒，写入时延典型值为12微秒。
耐久方面，该固态硬盘的寿命可达600TB，保修期为3年。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：美光发布232层QLC NAND闪存 6600MB/s读取 50微秒读取时延https://news.zol.com.cn/866/8662786.html
