近日，荷兰光刻机巨头ASML公司宣布优先向Intel公司交付其新型高数值孔径（High NA EUV）的极紫外光刻机。据了解，每台新机器的成本超过3亿美元，可帮助计算机芯片制造商生产更小、更快的半导体。
高数值孔径的极紫外光刻机组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输，其中包括13个大型集装箱。该光刻机将从2026年或2027年起用于商业芯片制造。公开资料显示，NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。
一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助。这样不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高数值孔径成为必需。
ASML 9月份曾宣布，将在今年底发货第一台高数值孔径EUV光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”，可制造2nm工艺乃至更先进的芯片。
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