消费级存储市场一直处于低迷状态，然而高带宽存储器（HBM）技术却成为了一种新的驱动力。最新报告显示，三星电子和美光正在积极筹备扩张 HBM DRAM 的生产。
据了解，三星电子斥资105亿韩元收购了三星显示位于韩国天安市的工厂和设备，以扩大HBM产能。此外，三星还计划投资7000亿至1万亿韩元新建封装线。
此前有报道称，三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E，并计划向客户推出样品。目前，三星正在积极开发HBM4技术，目标是在2025年推出该产品。与此同时，在台中的新工厂中，美光也开始了对HBM3E和其他产品的大规模生产。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，该公司计划在2024年初开始大量出货HBM3E。这款技术目前正在接受NVIDIA的认证，并且最初的产品将采用8-Hi堆栈设计、容量为24GB、带宽超过1.2TB/s。
值得一提的是，美光还计划在2024年推出更大容量的36GB 12-Hi堆栈 HBM3E。早些时候的一份声明中，美光曾预计到2024年，新的HBM技术将贡献“数亿美元”的收入。
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