国际大厂重兵布阵 台厂积极抢食
前言
全球电脑增长率趋缓，以电脑为最大应用的DRAM，其增长势头跟着疲软，取而代之的是消费性电子产品的崛起，尤其是彩色面板和照相功能所带动的手机换机潮，成为2004年市场看好的明日之星。因此不论是台湾地区厂商还是国际内存厂商，都纷纷将产品线触角延伸至与手机相关的内存产品，其中闪存更是炙手可热。
NAND型闪存双龙独霸NOR型市场百家争鸣
全球的NAND型闪存货源八成以上都掌握在韩厂三星（SAMSUNG）和日厂东芝（TOSHIBA）手上，其中东芝以日本内销市场为主，因此在全球流通的货源就更少了。NAND型闪存主要专利权为东芝所有，三星的技术也由东芝授权，2001年NAND型闪存市场东芝独大，但随着三星产能开出后，其市场占有率便一路超过东芝。相比于NAND型闪存领域呈现龙头独霸的情况，在NOR型闪存市场就显得竞争相当激烈。英特尔（Intel）在NOR型闪存领域，原一直保持第一名的位置，但根据iSuppli最新报告指出，第三季度全球最大NOR型闪存供应商已被超微（AMD）和富士通（Fujitsu）合组FASL，以全球市场占有率22.4％迎头赶上；英特尔则以市场占有率22％有微弱落后，退居全球第二；第三名则是日商夏普（Sharp），全球市场占有率为15.6％。英特尔的市场占有率下滑，除因超微和富士通成立的FASL，在品牌及技术上都显得强势外，2003年年初英特尔对下游厂商强势涨价使其大客户诺基亚（NOKIA）将部分订单转至竞争对手也不无关系。
便携式产品全球流行闪存陷入供不应求
闪存主要是用在消费性电子产品，依其功能特性分为两种，一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡，就是消耗NAND型闪存最大的产品。NOR型闪存和NAND型闪存占闪存的比重为7∶3，当前NOR型闪存仍位居主流地位。2003年随着便携式产品如随身盘、可照相手机、数码相机、MP3等在全球大流行，NAND型闪存陷入严重的供不应求，NOR型闪存身价同样也是水涨船高。NOR型闪存主要的应用市场在手机，比重达40％以上，其他的应用领域相当零碎，包括电脑、DVD播放机、STB、PDA等电子产品。NAND型闪存主要的应用市场在数码相机，比重高达50％，其次则为手机，比重在12％~15％，因此手机产业2003年下半年的谷底回春对全球沉寂好几年的闪存市场，不论是NAND型闪存还是NOR型闪存，都是一剂有力的强心针。根据研究机构的预计，2004年全球手机出货量至少5亿部，较乐观的预计，甚至上看5.5亿部。随着手机的附加功能越来越强，不但游戏和运算功能越来越复杂，可照相手机的普遍程度也将大幅提高，且3G的多媒体手机时代即将来临，还有玩家对记忆卡的存储容量要求将从256M提升至512M，与手机息息相关的闪存市场已是兵家必争之地，2004年闪存市场将呈现一片繁荣景象。
三星积极扩厂NAND型闪存新进者努力追赶
鉴于闪存市场2004年将越发火热，已吸引不少内存厂商觊觎，全球欲来分碗羹者不在少数，其中包括台湾地区的厂商。在NAND型闪存方面，除三星已大张旗鼓宣布扩厂，将DRAM生产线转做闪存，以巩固自身在NAND型闪存的地位外，当前已宣布涉入此领域的厂商包括英飞凌（INFINEON）、意法半导体（STMicro）、海力士（HYNIX）、力晶等。在NOR型闪存方面，台湾地区厂商旺宏和华邦已是此领域的老字号厂商，2003年也都加快脚步，赶搭这班闪存列车，2004年将有高容量产品的问世，同时三星除在NAND型闪存领域称王外，也将涉入NOR型闪存领域。三星为NAND型闪存的龙头厂商，当前已逐步降低在DRAM方面的比重，将生产线转往闪存，三星在NAND型闪存的工艺技术上也是遥遥领先其他厂商。当前已用90纳米工艺生产2G容量的产品，预计在2004年第四季度将工艺提升至70纳米，推出4G容量的产品，以三星规划的速度，竞争对手在产品容量及工艺微缩所带来的成本优势，其他竞争厂商恐难与之匹敌。 NAND型闪存第二大厂商东芝，在年底将月产能提升至9万片，2004年单月产能将提升至11.5万片，同时导入90纳米的工艺技术，预计2005年导入70纳米工艺技术。
瑞萨与力晶、旺宏携手抢占市场占有率
日本瑞萨半导体（Renesas）是由日立和三菱各自的半导体事业部门独立出来所成立的公司。瑞萨半导体虽为全球第三大NAND型闪存供应商，但由于自身产能不足的限制，其市场占有率与三星和东芝相比差距甚远，因此瑞萨在2003年宣布和力晶合作，由力晶的12英寸厂帮瑞萨代工，抢占全球NAND型闪存的市场占有率。由于瑞萨是由日立和三菱两家公司合并，因此瑞萨在闪存上有两种技术来源，一种是日立的AND型闪存技术；另一种是三菱的DINOR型闪存技术。日立的AND型闪存技术是NAND型闪存，但改良式的新产品AG-AND型闪存已逐渐替换常规的AND型闪存，因为AG-AND型闪存具有高速写入的特性，而瑞萨技转给力晶的就是AG-AND型闪存技术。在三菱的DINOR型闪存技术方面，它也属于NOR型闪存，但同样具有NAND型闪存存储资料的功能，当前瑞萨已将此种技术授权给旺宏。由此可知，瑞萨在闪存领域先后与力晶和旺宏合作，欲借助台湾地区厂商的产能攻占全球市场占有率。除上述三家已有的NAND型闪存厂商外，2003年在NAND型闪存严重缺货下，以及DRAM旺季不旺，NAND型闪存显得更受瞩目。因此不少DRAM厂商纷纷宣布涉入NAND型闪存生产行列，亟欲分得一碗羹。
众厂投入NAND型闪存动作积极
德商英飞凌已获得以色列半导体厂商Saifun的N-bit闪存技术授权，将推出512M容量的产品；2004年预计推出1G容量的产品；2004年年底推出2G的产品。在工艺方面，2004年将由2003年的0.17微米工艺技术推进至0.12微米工艺技术。当前市场对此技术仍存疑虑，因为Saifun的N-bit闪存是相当新的技术，未来是否会有进一步的工艺微缩空间仍是未知数。意法半导体和韩厂海力士也宣布，携手并进NAND型闪存领域，由意法半导体授权海力士生产NAND型闪存，同样预计在2004年导入90纳米工艺技术，推出2G容量的产品。除国际大厂纷纷向NAND型闪存领域挺进外，力晶是台湾地区厂商中唯一要涉入NAND型闪存领域的厂商，主要是因为力晶获得瑞萨半导体的技术支持，因此双方的合作动机一个是有意愿、有产能，但没技术，另一个是有技术，但缺产能的情况下双方一拍即合。力晶技转瑞萨的0.13微米工艺得AG-AND闪存技术，其预计在2004年年中量产，由力晶的12英寸厂进行生产，所以力晶将成为全球除三星以外，唯一用12英寸厂生产NAND型闪存的厂商，初期规划的产能是以12英寸厂中5000~6000片的产能为瑞萨代工，首推的产品将为1G容量的产品，除为瑞萨代工，未来力晶也会用此技术推出自有品牌产品。由此可知，在各家厂商积极向NAND型闪存领域布局下，2004年下半年的NAND型闪存市场将相当热闹。2004年上半年应还是处于供不应求的状况，下半年在各厂商的产能陆续开出下，缺货状况可获得缓解，但2004年下半年在新进企业的加入后，应免不了会有一场价格战，但三星仍会是赢家。因为其工艺萎缩带来的成本结构可支持它不断向高容量产品发展，因此后进者将追得相当辛苦。
旺宏、华邦转型向高容量发展
相比于NAND型闪存的百家争鸣，NOR型闪存供需缺口虽不像NAND型闪存这么严重，但2004年随着手机出货量大增，其行情同样看涨。台湾地区厂商在NOR型闪存领域中着墨较深，都是以低容量为主。旺宏是台湾地区最大的闪存厂商，在闪存领域耕耘时间已超过10年，旺宏在低容量产品技术上均是自行研发，2003年旺宏在NOR型闪存领域采取兵分两路的策略，其一是和瑞萨合作，技转其DI鄄NOR型闪存技术；第二是与以色列半导体厂Saifun合作，技转N-bit闪存技术。旺宏在10月引进的瑞萨高容量DINOR型闪存技术当前已开始量产，除代工外，未来也会推出旺宏自有品牌的产品，产品线将从128Mb容量开始，再往上推进。在N-bit闪存技术方面，旺宏预计2004年年中会量产，首推产品也是128Mb容量以上，N-bit闪存特色在于可在一个细胞单元（cell）中同时存储两个比特，其容量为常规型容量的两倍。当前许多厂商都研发此项技术，N-bit闪存技术的另一个优点是，它有DATA闪存存储资料功能，因此是具有NAND型闪存存储功能的NOR型闪存。华邦的WINSTACK闪存技术现有的产品线以低容量4~16Mb产品为主，当前华邦小量生产32Mb容量产品，2004年将大量产出。在ACT1闪存技术方面，预计将在2004年第二季度推出128Mb产品，此进度比预定的时间延后约一季度。根据iSuppli第三季度NOR型闪存销售排行榜，华邦在全球排名第14。力晶2003年在闪存的野心不仅在于与瑞萨合作的NAND型闪存，在NOR型闪存领域，力晶也积极布局。力晶已与SST（SliconStorageTechnol鄄ogy）合作开发第三代高级闪存技术，第一代高级闪存于1993年问世，第二代在2003年年初开始生产，第三代高级闪存初期规划的产品容量为2G。第三代的高级闪存会以0.11微米工艺技术在12英寸晶圆厂生产，2004年着手研发，预计量产时间在2005年，届时力晶除帮助SST代工以外，也可推出自有品牌。未来力晶在两座12英寸晶圆厂的规划上将更专注于营运的分工，在闪存和DRAM间作产能上的调配，闪存可能会占两座12英寸晶圆厂产能的三分之一。