据报道，SK海力士正在研发一款400层堆叠的NAND闪存芯片，并计划于2025年投入大规模生产。这款产品采用了创新的4D NAND闪存技术和混合键合技术，将两块晶圆片紧密连接在一起，与目前主流的PUC结构（即将闪存单元置于外围驱动电路之上）明显不同。
这种新型结构涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀以及引线等环节。实际上，这种设计与长江存储所采用的晶栈结构存在相似之处。
去年8月时，SK海力士已经展示了其321层堆叠闪存样品，成为首家达到300+层堆叠水平并使用TLC存储器的公司。而三星则已量产了290层闪存，并计划在2030年前实现超过1000层的超高度集成；美光也已将自家生产的276层闪存投入到实际应用中。铠侠公司去年成功实现了218层的闪存堆叠，他们暗示有望在2027年达到1000层的堆叠目标。
至于长江存储方面的情况暂时还不得而知，无法公开相关信息。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：三星、英特尔之后！海力士研发400层堆叠闪存芯片https://news.zol.com.cn/889/8891823.html
