慧荣科技在日前举行的“MTS2024 存储产业趋势研讨会”上，向业界详细介绍了最新的PCIe 5.0 SSD主控芯片SM2508。这款旗舰级主控支持NVMe 2.0，并内置了8个最高支持3600MT/s速率闪存通道。其顺序读写速度可达14.5GB/s和14GB/s，随机读写速度可达250万IOPS。
SM2508采用4个ARM Cortex R8处理器与1个ARM Cortex M0处理器的搭配，其中4个R8处理器最高能够达到1.25GHz，并支持对称性多重处理与乱序执行。这种大核+小核的处理架构能实现更高的并行度、更低的功耗和更高的频率，从而兼顾性能与功耗的均衡。
为给笔记本用户提供更好的性能体验，慧荣科技在SM2508主控芯片上不仅采用了台积电6纳米EUV制程工艺，相比12nm能够降低45%功耗，同时还结合了慧荣科技智能功耗管理技术。通过专属模块智能调整运行时的功耗，再结合整体低功耗设计的设计思路，让高速性能也能在笔记本等紧凑空间和严苛功耗需求的产品上得以发挥。
慧荣方面表示，预计PCIe 5.0 SSD将在2025年在PC OEM市场中得到广泛应用。这将为用户带来更快速度和更高效率的数据传输体验。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：PCIe 5.0 SSD主控芯片登场，功耗仅25Whttps://news.zol.com.cn/842/8422519.html
