三星电子近日组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，并聘请安森美半导体前董事洪锡俊担任副总裁，负责监管相关业务。洪锡俊在功率半导体领域拥有约25年的经验，在加入三星后，他将领导这项工作，并与韩国的功率半导体产业生态系统和学术机构合作进行市场和商业可行性研究。
与此同时，三星决定购买Aixtron最新的MOCVD设备，用于加工GaN和SiC晶圆，这表明该公司对该领域的努力承诺。投资预计至少为700-8000亿韩元。
根据分析，全球SiC功率器件市场规模预计将在2023年达到22.8亿美元（当前约166.9亿元人民币），同比增长41.4%。到2026年，这一数字将达到53.3亿美元（当前约390.16亿元人民币）。
然而，据最新研究显示，受全球半导体需求减少和地缘政治因素影响，三星8英寸晶圆制造工厂的利用率可能会下降至50%。为了应对SiC和GaN功率半导体的需求持续上升以及三星硅晶圆业务面临的挑战，该公司正与DB Hitek和Key Foundry等竞争对手一起准备推出8英寸GaN代工服务。这一战略举措预计将在2025年至2026年间实现。
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