据报道，三星电子和台积电的3纳米工艺良品率目前大约在50%左右，这一说法基于行业人士的分析。此前有消息显示，三星电子的3纳米工艺良品率已超过60%，并且已经向中国客户提供了一款芯片。然而，由于这种工艺省略了逻辑芯片中的SRAM，因此很难将其视为“完整”的3纳米芯片。 业内人士表示，尽管三星已率先量产重点发展的3纳米全栅极技术（GAA），但其产量尚不足以影响大客户。这种技术中，栅极环绕在构成半导体的晶体管中电流通道的四边，与以往环绕三边的工艺相比，难度自然会增加。 台积电方面，虽然该公司是目前唯一一家拥有3纳米量产记录的公司，但其产量同样未达到预期。有分析师指出，台积电的3纳米工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能无法有效控制过热现象。 目前，三星、台积电和英特尔三家公司仍在努力实现60%以上的良品率目标。台积电计划在未来量产N3E、N3P、N3X、N3AE等，重点在于提高良品率和降低成本。 此外，有业内人士透露，三星、台积电和英特尔三家公司都在准备2纳米工艺。尽管这种工艺对性能和功耗效率的提升并不明显，但预计3纳米芯片的需求将持续时间超过预期。 值得注意的是，此前，有分析师对苹果iPhone 15 Pro手机过热问题给出了分析。他们认为，苹果的iPhone 15 Pro系列过热问题与台积电的3纳米工艺无关，主要原因是为了使手机重量更轻。这些分析指出了散热系统设计上的妥协，如散热面积较小和采用钛合金等，可能会限制手机的出货量。
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