5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。
根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。
此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向结晶（MILC）技术提高通道的结晶质量，再利用尖端的镍铸方法来消除硅材料中的杂质和缺陷。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术https://news.zol.com.cn/817/8172605.html
