近日，三星电子官方宣布已开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存芯片，每个芯片的容量为1Tb（相当于128GB）。值得注意的是，仅在四个月前，三星才开始量产了同一代的TLC V-NAND闪存。这次的新产品采用了多项创新技术。
首先，这项新技术包括通道孔蚀刻(Channel Hole Etching)。通过使用双堆栈架构，使得单个单元堆叠层数达到了行业内目前最高水平（具体数值并未公布）。同时，也对存储单元面积和外围电路进行了优化，使得位密度提升了约86%。
其次，在模具设计方面也有一些改进。可以调整、控制存储单元的字线间距，以确保同一单元层内的存储单元特性一致，并且能够达到最佳效果。这使得数据保持性能提高了约20%，同时增强了产品的可靠性。
另外，产品还加入了预测程序(Predictive Program)，其作用是能够预测并控制存储单元的状态变化，在最大程度上减少不必要的操作。这一技术使得写入性能翻倍，数据输入/输出速度提高了60%。
最后，该款闪存还采用了低功耗设计(Low-Power Design)。它降低了驱动NAND存储单元所需的电压，并只检测必要的位线(Bit Line)，从而使得数据读取功耗分别下降了约30%和50%。
值得一提的是，三星第九代QLC V-NAND闪存芯片将首先应用于消费电子产品，并逐步扩展到UFS、PC和服务器领域。
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