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    华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术,频率可提升至多 400MT/s

      [  中关村在线 原创  ]   作者:海是天的倒影

    华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术,频率可提升至多 400MT/s

    华硕最新推出的ROG和ROG Strix X870 (E) 主板,引入了全新的NitroPath DRAM技术。这一创新技术为高端DDR5内存主板提供了更出色的性能。

    据悉, NitroPath DRAM技术通过独特的布局布线来提高内存速度,并优化了主板内部的信号通路以减少噪音干扰。这种尖端设计使得信号传输更加流畅,噪音和反射更少,因此采用该技术的主板上的内存频率可以增加至多额外400MT/s。此外,在负载较重的情况下,此设计还能提升系统的稳定性。

    除此之外, NitroPath DRAM技术还提升了插槽的牢固程度。这使得内存槽具备更好的抗侧向力能力和保持力,同时也增加了对安装过程中产生的磨损的抵抗力。这对于需要升级或更换内存条的发烧友们来说具有明显价值。

    目前,华硕已在两款主板上率先引入了 NitroPath DRAM 技术,即 ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi。

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