台积电最新3nm工艺节点已接近量产，将于2024年下半年投入生产。该工艺节点基于N3E工艺节点进一步提高了能效和晶体管密度。台积电表示，N3E工艺节点的良率已经与成熟的5nm工艺相当。
据悉，台积电高管表示，N3P工艺节点的质量验证已经完成，其良品率可以接近于N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P在IP模块、设计规则、EDA工具和方法方面兼容N3E。因此，整个过渡过程非常顺利。
N3P的关键优势在于其带来的增强规格。与N3E相比，在相同功耗下性能提升约4%，在匹配时钟下功耗降低约9%。对于由逻辑、SRAM和模拟元件组成的典型芯片设计，晶体管密度也提高了4%。
补充一点：本文所描述的台积电（TSMC）3nm工艺节点是指其在半导体制造领域中使用的技术，而不是指具体型号或规格的手机等产品。
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