三星电子近日宣布，成功开发出业界首款36GB 12H HBM3E DRAM，进一步巩固了其在高容量HBM市场领域的领先地位。该产品采用了TSV技术，将24Gb DRAM芯片堆叠至12层，实现了业界最大的36GB HBM3E 12H容量。
据了解，HBM3E 12H具备高达1280GB/s的带宽和目前市场上最大的36GB容量。与前代8层堆叠的HBM3 8H相比，在带宽和容量方面均提升了超过50%。同时，三星还利用先进的TC NCF（热压的非导电薄膜）技术使12H产品与8H产品具有相同的高度，并满足HBM封装规格要求。
此外，三星通过降低NCF材料的厚度实现业界最小7微米的芯片间距，垂直整合能力比HBM3 8H高出约20%，并将AI训练速度平均提高34%，推理服务用户数量增加超过11.5倍。因此，预计今年上半年即可开始向客户提供这种新型DRAM。
预计HBM3E 12H将成为各种使用AI平台的公司的最佳解决方案。三星电子计划在未来继续保持对技术创新和市场领导者的关注，并继续推动行业发展。
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