美光公司近日宣布推出新一代DDR5内存，每条容量高达128GB，并且频率达到了8000MHz。这款内存产品主要面向服务器市场，而非消费级的UDIMM内存。
该款DDR5内存基于单颗容量32Gb（即4GB）的新型DDR5颗粒设计，其容量密度较之前的产品提高了45%。如果将双芯封装和TFF加高模组技术相结合，那么很快就能制造出单条容量达到1TB的内存产品。
在制造工艺方面，该款DDR5内存采用了成熟的1β技术，并号称能效比竞品的3DS TSV硅穿孔方案高出最多24%。通过利用先进的CMOS工艺以及不断改进的阵列效率，美光公司计划在未来三年内将内存密度翻一番，并逐渐推进至48Gb（即6GB）和64Gb（即8GB）。
根据预计，到2026年时，美光公司有望推出单条容量高达256GB甚至更大的MRDRAM内存产品，同时频率也会达到惊人的12800MHz。这些新产品都将极大地提升计算机系统在存储能力方面的性能水平。
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