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    佰维推出UFS 3.1高速闪存 写入速度达1800MB/s

      [  中关村在线 原创  ]   作者:拿铁不加冰

    据佰维公众号消息,该公司近日宣布推出UFS 3.1高速闪存,其写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度达2100MB/s,容量达256GB,未来将推出512GB、1TB容量。该产品尺寸为11.5×13.0×1.0mm,主要用于旗舰智能手机产品。 值得注意的是,佰维UFS 2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证,成为国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时,佰维还可提供UFS 3.1+LPDDR4X / 5的存储搭配方案,其中佰维LPDDR5产品的运行速度达6400Mbps,容量最高可达64Gb。 佰维表示,公司依托自研固件算法能力,根据JEDEC发布的UFS 3.1规范,为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能,以确保产品高速运行的同时,降低产品功耗。 深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年,专注于存储芯片研发与封测制造,是国家高新技术企业,国家级专精特新小巨人企业,并获得国家大基金战略投资。

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    news.zol.com.cn true https://news.zol.com.cn/826/8269140.html report 789 据佰维公众号消息,该公司近日宣布推出UFS 3.1高速闪存,其写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度达2100MB/s,容量达256GB,未来将推出512GB、1TB容量。该产品尺寸为11.5×13.0×1.0mm,主要用于旗舰智能手机产品。 值得注意的是,佰维UFS...
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