4月9日的报道显示，三星电子已经开始着手研发1.0纳米晶圆代工工艺，以期在未来与行业竞争对手的技术较量中实现突破。
据报道，三星电子的半导体研究所近期正式启动了1.0纳米工艺的研发工作。为此，部分曾参与2纳米等先进制程研发的核心技术人员被抽调出来，组建了一个专门的项目团队。根据三星目前公开的晶圆代工工艺路线图，计划于2027年投入量产的1.4纳米工艺是当前规划中最先进的技术节点。
业内人士指出，1纳米工艺的研发需要突破现有的技术框架，引入全新的概念和技术，例如高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备等下一代生产设备。据估算，1纳米工艺的量产时间可能要到2029年之后。
尽管三星在3纳米工艺上已经进入量产阶段，并计划在今年内推出2纳米工艺，但有分析认为，与主要竞争对手相比，三星在这些领域仍存在一定的技术差距。特别是在2纳米工艺方面，主要竞争对手的良品率已突破60%，而三星在该领域的追赶仍需努力。因此，三星对1纳米工艺寄予厚望，将其视为实现技术反超的关键。
上个月，三星会长李在镕在一次高管会议上强调，公司需要继续秉持重视技术创新的传统，并以“前所未有的技术”引领未来。与此同时，据此前韩媒报道，三星最新的2纳米SF2工艺初始良品率表现超出预期，基于该工艺的Exynos 2600芯片试产良率达到了30%。这表明，三星在先进制程的研发和生产方面正在逐步取得进展。
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