三星电子决定改进其12nm级DRAM内存产品，以应对良率和性能的双重挑战。该公司将在2024年底开始生产这种新型12nm级DRAM，称为D1B-P。该项目专注于改善能效和散热表现。
据韩国媒体ETNews报道，三星在去年年底宣布完成了基于现有12nm制程的32Gb DDR5内存开发，并计划于今年初开始批量生产。然而，在LPDDR5x等关键领域，这一代工艺并未取得成功。
报道指出，在作出启动D1B-P项目的决策时，现有12nm级DRAM的良率仅为60%左右，远低于业界大规模量产所需的80%至90%。
为了确保D1B-P项目能够按时进行，三星电子已经在2024年底前紧急订购了所需设备。预计该制程将于2025年内量产，并最早于今年第二或第三季度推出市场。
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