在12月17日的IEEE国际电子器件会议上，全球领先的晶圆代工巨头台积电公布了备受瞩目的2纳米（N2）制程技术的更多细节。与前代制程相比，N2制程在性能上提升了15%，功耗降低了高达30%，能效显著提升。
台积电重点介绍了其2纳米“纳米片”技术。这种技术采用堆叠的窄硅带结构，并通过环绕式栅极和GAA纳米片晶体管的应用，使得晶体管密度提高了1.15倍。同时，制造商可以根据不同的应用场景微调参数以实现更精确的电流控制。
与3纳米及其衍生制程相比，台积电的N2制程在性能上实现了显著的提升。考虑到价格因素，预计包括苹果和英伟达在内的行业巨头将大规模采用该制程。然而，性能提升也伴随着晶圆价格上涨，据悉一片N2晶圆的价格可能在2.5万美元至3万美元之间。
尽管初期产量受到限制，但考虑到初期良率和试生产等因素，N2制程的普及速度可能会相对缓慢。总体而言，台积电的2纳米制程技术在性能、功耗和晶体管密度方面的进步令人印象深刻，并有望成为行业领先的技术之一。
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