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    台积电2nm技术取得重大突破!性能提升30%

      [  中关村在线 原创  ]   作者:清风与鹿
    news.zol.com.cn true https://news.zol.com.cn/905/9054628.html report 1301 台积电(TSMC)在2nm制程节点上取得重大突破,首次引入了Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。同时,N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的灵活性。相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下...
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