台积电2nm技术取得重大突破！性能提升30%

台积电（TSMC）在2nm制程节点上取得重大突破，首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。同时，N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的灵活性。

相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。

然而，随着技术升级，成本也随之攀升。据预测，台积电每片300mm的2nm晶圆价格可能超过3万美元大关，高于早先预估的2.5万美元。相比之下，当前3nm晶圆的价格区间约为1.85万至2万美元，而4/5nm晶圆则徘徊在1.5到1.6万美元之间。显然，2nm晶圆的价格将出现显著增长。

面对市场对2nm工艺技术的强烈需求，台积电正不断加大对该制程节点的投资力度。公司计划在中国台湾的北部、中部和南部三地建设新工厂，并确保产能满足市场需求。

新工艺的引入意味着更多的EUV光刻步骤，甚至可能采用双重曝光技术，这无疑将进一步提升生产成本，使其高于3nm制程节点。

台积电已规划于2025年下半年正式进入批量生产阶段，并预计客户最快可在2026年前收到首批采用N2工艺制造的芯片。首个尝鲜这一先进工艺的客户很可能将是科技巨头苹果。