三星推出990 EVO Plus固态硬盘，采用最新的第8代V-NAND技术和5nm主控，采用创新的镀镍热屏蔽设计，能效相比于990 EVO提高了73%。该产品提供1TB、2TB和4TB版本选择，并且不带DRAM缓存。4TB型号可提供每秒1,050K IOPS随机读取速度和1,400K IOPS随机写入速度，与带DRAM缓存的产品相比也不落下风。此外，它还支持PCIe 4.0 ×4或5.0 ×2的NVMe 2.0标准，连续读取速度可达7,250 MB/s，写入速度高达6,300 MB/s，相比上一代990 EVO提升了50%。
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