三星电子宣布，其首款1TB四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已经正式开始量产。同时，1TB TLC产品也在今年4月开始量产。
这款QLC第九代V-NAND采用了多项技术突破。首先是通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），它能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。通过在TLC第九代V-NAND中应用这一技术，三星优化了存储单元面积及外围电路，使其位密度比上一代QLC V-NAND提高了约86%。
其次是预设模具（Designed Mold）技术，它能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，以确保同一单元内和单元之间的存储单元的特性保持一致。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提高约20%，从而增强了可靠性。
另外还有预测程序（Predictive Program）技术，它能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这一技术让三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍，并且I/O速度提升了60%。
此外，三星还表示将扩大QLC第九代V-NAND的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，并为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：三星宣布量产1TB四层单元闪存，QLC第九代技术功不可没https://news.zol.com.cn/899/8991642.html
