英韧科技最新发布的固态硬盘方案，在使用1200MT/s QLC闪存的情况下，顺序读取速度可达7000MB/s以上，接近PCIe Gen4x4的“满速”。该方案搭载了来自Solidigm的144层3D QLC闪存和英韧的PCIe Gen4无外置缓存主控。
目前市场上制程较低（200+层）但性能良好的3D NAND闪存供应逐渐紧张，因此模组厂商开始关注如何充分利用这些成熟产品来提高闪存IO接口速率。与此同时，新一代QLC闪存在寿命和性能上有明显提升，并具备“极致性价比”，这使得其占据了更多市场。
根据测试结果显示，这一方案在1GiB样大小的Crystal Disk Mark 8基准测试中跑出了7446.77MB/s的顺序读取速度，并实现了6488.36MB/s的顺序写入速度。虽然一般经验规律表明，如果使用4通道主控，则即使使用2000MT/s速率的闪存也难以实现PCIe Gen4x4读取“满速”的目标，但是英韧科技的新方案很可能采用了8通道主控。
另外，该固态硬盘方案还支持主机直写QLC闪存，相较于传统方案，动态SLC缓存外写入性能提升了约50%~100%。英韧科技确认该方案现已进入量产阶段，并预计将在本季度内面世。
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