在近日的投资者网络研讨会电话会议上，AMD首席技术官Mark Papermaster暗示了MI300加速器将支持HBM3E内存。他表示，AMD为未来构建了架构，并且已经为12层堆叠的HBM3进行了设计。他还提到，他们与存储器供应商和台积电等基板供应商以及OSAT社区有着深厚的合作历史。
根据外媒Tom's Hardware掌握到的信息，AMD在Instinct MI300X加速器上采用了单颗粒24GB（12层堆叠、单层16Gb）的HBM3内存，在Instinct MI300A数据中心APU上采用了单颗粒16GB（8层堆叠、单层16Gb）的HBM3内存。这些产品都采用了8个HBM堆栈，分别实现了192/128GB的总内存容量。
值得注意的是，相比于HBM3内存，HBM3e内存拥有更高的传输速率：以SK海力士产品为例，其引脚传输速率达6.4Gbps，而HBM3e则可以达到9.2Gbps。此外，换用HBM3E也可以增加总内存容量：三星和海力士都已经推出了单颗36GB容量的HBM3E内存。
最近消息人士@Kepler_L2透露称，AMD将推出改版后的MI300处理器，采用低价策略与竞品英伟达B100进行竞争。这个传言得到了Mark Papermaster发言的支持，他没有直接否认或确认这个消息，但从侧面增加了其真实性。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：AMD正在研发HBM3E内存：加速器将支持，性能强劲！https://news.zol.com.cn/857/8576277.html
