随着人工智能和高性能计算行业的发展，对内存带宽的需求也日益增长。目前，9.6 GT/s的数据传输速率的HBM3E内存已经量产，但下一代HBM4内存已经箭在弦上，预计将在两年内实现商用。
根据报道，在SEMICON Korea 2024大会上，SK海力士公司副总裁Chun-hwan Kim表示他们计划在2026年之前实现HBM4内存的量产以满足生成式人工智能快速发展带来的巨大需求。他进一步解释道，生成式人工智能市场预计将以每年35%的速度增长，并推动处理器性能提升，进而对内存带宽提出更高要求。
现有技术中，单颗HBM3E内存堆栈能够提供1.2TB/s的理论峰值带宽。如果一个内存子系统包含6个堆栈，则总带宽可达7.2TB/s。然而，在实际应用中存在差距。例如，英伟达的H200显卡搭载了HBM3E内存，但提供的带宽只有“只有”4.8TB/s左右。这可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。
为了进一步提高内存带宽，HBM4将采用2048位接口，并保持数据传输速率在6GT/s左右。然而，这种更复杂的布线设计将导致HBM4的成本高于HBM3和HBM3E。
除了SK海力士之外，三星也在积极研发HBM4内存，并同样计划于2026年实现量产。此外，随着生成式人工智能需求的增长，定制化HBM内存也越来越受欢迎。三星内存业务执行副总裁Jaejune Kim表示：“HBM4目前正在开发中，并且预计在2025年提供样品，在2026年实现量产。”
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