三星电子在美国硅谷设立新的R&D研究实验室，专注于开发下一代3D DRAM芯片。该实验室位于Device Solutions America（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM产品，以帮助三星继续引领全球3D DRAM市场。
去年9月，三星推出了业界首款且容量最高的32Gb DDR5 DRAM芯片，采用12nm级工艺打造，可生产出1TB的内存产品，从而巩固了三星在DRAM技术方面的领导地位。基于2013年全球首款3D垂直结构NAND（3D V-NAND）商业化的成功经验，三星电子的目标是主导DRAM 3D垂直结构的开发。
在去年10月举行的“内存技术日”活动上，三星电子宣布计划在下一代10纳米或更低的DRAM中引入新的3D结构，而不是现有的2D平面结构。该计划旨在克服3D垂直结构缩小芯片面积的限制并提高性能，将一颗芯片的容量增加100G以上。
分析师预计，3D DRAM市场将在未来几年快速增长，到2028年将达到1000亿美元。三星和其他主要内存芯片制造商正在激烈竞争，以引领这一快速增长的市场。
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