近日，原子能信息实验室发布了预告，宣布将在2024年1月31日的美国西部光电博览会上发表两篇关于其microLED技术进展的论文。其中一篇论文名为《使用CMOS兼容方法与InGaN/GaN微型LED进行并行通信》，介绍了如何直接在200毫米硅基板上制造LED，并为生产由专用CMOS电路独立控制、几微米级别的LED矩阵铺平了道路。
另一方面，另一篇论文名为《在蓝宝石、独立GaN和硅上，InGaN量子阱厚度对其载流扩散长度的影响》。该机构通过实验证明，可以通过减小InGaN量子阱的厚度来减少扩散长度。此外，还展示了在大型量子阱中观察到的与功率相关的、意想不到的扩散行为，这可能有助于我们理解发射器的物理学原理。
这两篇论文将进一步探讨了InGaN/GaN微型LEDs在高数据速率光通信中的应用潜力。通过对这些材料和技术的研究，可以实现大规模并行传输，并且小型化LED矩阵能够提高数据速率密度。同时，在改进集成度方面也有着巨大的可能性。
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