近日，SK海力士的HBM3E内存迎来新竞争对手--美光。美光科技表示，其新款HBM3E内存同样可以达到1.2TB/s的速度，而且已经向英伟达等客户交付样品，预估明年会有订单入账。 美光的HBM3E内存采用八-tier布局，每个堆栈为24GB，采用1β技术生产，具备出色的性能。美光表示，旗下的HBM3E内存除了提供和友商相同级别的性能之外，其成本会比其它友商更低。 美光表示，明年开始商业出货，目前正在寻求这些产品的认证，以满足英伟达的要求。HBM（High Bandwidth Memory）是指垂直连接多个DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。HBM3E是HBM3的扩展版本。
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