3月26日消息，三星电子正式对外宣布成功研发了业界首款使用HKMG技术的DDR5内存。得益于HKMG（High-K Metal Gate，高电介质金属栅极）技术，三星成功将8层16GB DRAM芯片堆叠在一起，成功实现高达 512GB 的内存容量。
作为业界首款采用HKMG技术并将容量提升至512GB的DDR5内存，它的速度可以达到7200Mbps，相比起DDR4有着超过2倍的提升。与此同时，这款新的内存还将减少大约13％的功耗，这对于需要持续优化能源效率的数据中心来说尤为重要。
三星电子内存部门副总裁 Young-Soo Sohn 表示，“三星是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商。这种工艺引入 DRAM 制造，三星可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案，助力医学研究、金融、自动驾驶、智慧城市等应用。”
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