北京时间11月26日消息，去年8月底，三星宣布推出全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的单条容量高达64GB的DDR4内存条。一年多后，三星将容量翻倍，开始量产128GB DDR4内存条。
单条128GB DDR4内存（图片来自mydrivers）
128GB DDR4内存条采用的是三星最先进的20nm制造工艺，起步频率为2400MHz，接下来将逐步提升到2667MHz、3200MHz。另外，三星还会把TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。
需要说明的是，新内存依然是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子，使用了多达144颗DDR4内芯片，每一颗容量8Gb（1GB），然后每四颗芯片利用TSV技术紧密封装在一起，总计36个组，分布在内存条两侧。
