北京时间12月30日消息，三星今日正式宣布，已经成功研发出业界内首款LPDDR4的8Gb移动DRAM，该芯片采用了低功耗内存技术，以及22纳米工艺。
三星推业界首款LPDDR4 DRAM（图片来自cnbeta）
据三星介绍，8Gb的LPDDR4内存采用20nm制程进行制造，单一芯片上可提供1GB存储空间，较现今使用DRAM的密度大大提高。通过装备4块8Gb的芯片能够实现4GB的LPDDR4的封装。
同时，8Gb的LPDDR4还采用了低电压摆幅终端逻辑（ LVSTL ）I/O接口，并通过了JEDEC的认证。基于这个接口，其传输速率能够达到3200MBPs，是现有LPDDR3的两倍，能耗减少40%，电压依旧维持在1.1伏特左右。
三星推业界首款LPDDR4 DRAM（图片来自SansungTomorrow）
对此，三星表示，本次推出的高速8Gb的LPDDR4移动DRAM将提供最高级别密度、性能和能效对比，能够让用户更快更灵活的使用应用，提供更加丰富的功能，在延长电池续航的同时为高分辨率显示屏提供支持。
“下一代的LPDDR4 DRAM将会加快全球移动DRAM市场的发展，并且将会迅速占据主导地位。三星将会继续带领DRAM市场不断向前发展”，三星存储销售及市场推广高级执行副总裁 Young-Hyun Jun表示。
