全球内存模块领导厂商--创见资讯(Transcend)，领先业界隆重推出高效能184-Pin 512MB DDR400 Unbuffered DIMM内存。本内存最大特色在于采用CL2设计，以大幅提升整体效能，搭配上散热片设计,在高速运算下确保系统高稳定度, 适用于各类桌上型计算机，最适合挑战计算机效能极限之玩家使用。
创见512MB DDR400 Unbuffered 内存模块采用TSOP封装制造之32Mx8颗粒，每一颗粒都经严格筛选，并且加上散热片设计，提供绝佳的散热性能及更好的电气特性，以确保高速运算下的工作质量。本内存采用6层PCB电路板，能适用于严苛的工作环境，减少噪声扰乱，大幅提升系统的整体效能。
创见累积十数年之硬件设计与高阶记忆卡生产经验，对于记忆卡在布线方式、数据传输及散热等电气特性之规划设计上均有严格的要求，因而可大幅提升系统运作时的执行效率及稳定性。创见512MB DDR400 Unbuffered内存模块符合Intel i865/i875,SIS 655FX平台之应用，并且通过与各大主机板的兼容性测试，能使主机板充分发挥效能。对于需要超频、散热佳、高容量、高稳定性及高兼容性内存模块的高阶使用端而言，创见512MB DDR400 Unbuffered内存模块绝对为消费者最佳之选择。
产品特色
CAS Latency 2 DDR400内存模块
高稳定性及可靠度
加装散热片提供更佳的散热性能和更好的电气特性
六层电路板
终身质保
订购信息
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产品型号 |
容量 |
描述 |
备注 |
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TS64MLD64V4F2 |
512MB |
184-Pin DDR400 Unbuffered内存模块 |
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