美国Micron科技公司在当地时间12月9日已经生产出128M “Q-Flash”闪存样品，这种产品和Intel的StrataFlash设备针脚兼容。此款产品大规模投产将在明年第三季度。

    这种叫做“Q-Flash”的闪存已经有了32M和64M两类产品，在未来它的家族将因为128M产品而壮大。

    这个非易失性存储器可以帮助您轻松、高效的完成网络、通信等工作，，它无需附加的软件和硬件，方便应用。Micron公司的产品战略就是“兼容、方便”！

    这种全新的128M“Q-Flash”闪存是采用0.15微米生产工艺的产品，提供electrical-block erase、programmable和read-only内存等性能。

    Q-Flash的特点是与美国英特尔公司的多值NOR型快闪EEPROM“StrataFlash”的接口兼容。由于现行的StrataFlash在一个内存单元（Memory Cell）中记录2bit数据从而芯片面积小，所以最近多用于机顶盒、网络设备以及汽车等成本压力较大的用途中。

    不过，在Q-Flash中并没有采用多值技术。一般来说在多值快闪EEPROM确立技术需要相当长的时间。即使在引进多值技术方面领先的快闪EEPROM制造商英特尔公司，从开始研究到实现实用化也花费了3年的时间。另一方面，如果不使用多值技术，将可以充分利用Micron所擅长的微细化技术。“通过加快发展微细化将使Q-Flash的制造成本在今后急剧下”