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三星以0.10微米制程技术成功试产2G NAND快闪内存

类型:转载 作者: 日期:2002-09-16 13:42:09



    三星以0.10微米制程技术成功试产2G NAND快闪内存 -- 2002/09/16 11:48   据韩国经济新闻报导,三星电子宣布,已确保90奈米DRAM量产技术并以0.10微米制程技术成功试产2G NAND快闪内存,该公司计划2003年第三季开始,将于月产能2万片的12吋晶圆专用生产线量产该产品。 
 




资料来源:电子时报
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