据路透（Reuters）报导，英特尔（Intel）日前公布最新通讯芯片技术，将导入新一代90奈米硅锗（SiGe）制程技术，预计于2004年初推出新芯片，届时可望发展出单芯片手持式装置，可提供手机、无线数据网络等其他连网服务。

　  Gartner Dataquest分析师Joseph Byrne认为，英特尔若成功推出新芯片，由于发展出较价宜、较小且高效能的电路，可提高英特尔的竞争优势，然对Broadcom、巨积（LSI Logic）、Altera及Intersil等通讯芯片厂商而言，则是一大威胁。

　  该最新通讯芯片技术将结合英特尔90奈米制程技术及先进的混讯技术。Byrne认为，英特尔虽有能力集成类比电路与数位电路，但并不表示该类比电路能够像数位电路般，多年来依照摩尔定律而逐年缩小。根据摩尔定律，芯片速度每18个月即增加一倍。

　  美半导体新闻网站Silicon Strategies报导则指出，英特尔导入该新技术后，可望成为全球第一家以90奈米制程生产通讯芯片的厂商。英特尔计划于2003年在自家12吋晶圆厂生产这些通讯芯片，此举显示英特尔的芯片制造策略改弦易辙，因为过去英特尔只发展单一制程技术。