长鑫存储正在积极推进下一代DRAM技术的开发，据韩国媒体报道，公司跳过了原定的17nm制程，直接采用了16nm制程技术用于首款商用DDR5产品。这一决策显示出长鑫存储对其制程技术的信心，实际上，他们的下一代制程开发速度已经超过了最初的计划。研究机构TechInsights指出，长鑫存储在完成17nm技术开发之后，迅速跟进并完成了16nm技术的开发。
公司之前主要生产的是17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等产品，2024年11月，他们首次推出了LPDDR5产品，并在2025年初成功实现了DDR5的商业化。同时，长鑫存储也在开发基于现有制程的下一代15nm技术，目标是在2025年内完成开发，并在2026年下半年实现商业化。
尽管美国加强了对先进半导体制造设备出口的限制，导致长鑫存储无法引进EUV先进制造设备，从而暂时放缓了15nm制程技术的发展，但公司预计，利用现有设备也能够开发和量产下一代制程技术。这一点从美光的13nm DRAM制程技术未使用EUV就能实现量产可以得到佐证。
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