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    台积电称2nm工艺有重大改进 GAA晶体管将提高SRAM密度

      [  中关村在线 原创  ]   作者：散落的星星沙
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    news.zol.com.cn true https://news.zol.com.cn/915/9159181.html report 1409 台积电3nm制程节点上的SRAM单元与5nm制程节点基本无区别，这一消息证实了之前关于台积电在3nm制程中遇到SRAM单元缩小问题的传言。根据报道，随着新一代2nm制程节点的到来，SRAM单元的缩小问题似乎看到了希望。台积电将引入GAA晶体管架构，在HD SRAM位单元尺寸上取得了重...
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