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    三星新研发低功耗内存 功耗仅为1.2pJ/bit

      [  中关村在线 原创  ]   作者:散落的星星沙
    news.zol.com.cn true https://news.zol.com.cn/851/8511350.html report 1057 三星正积极研发一种新型内存技术,名为LLW DRAM,即低延迟宽I/O(Low Latency Wide I/O)DRAM。据称,这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。特别适用于需要在设备上运行大型语言模型的设备,但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。三星表示,L...
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