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    三星已确保3nm工艺良品率稳定 明年量产

      [  中关村在线 原创  ]   作者:锋度

            10月9日消息,据国外媒体报道,5nm芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子,都在全力推进3nm工艺的量产事宜,以便占得先机,进而获得更多的代工订单。

            而韩国媒体最新的报道显示,三星电子已确保3nm制程工艺有稳定的良品率,他们计划在明年6月份开始量产,代工相关的芯片。

           三星电子的3nm工艺,并未继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,而是采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术。三星方面表示,采用这一工艺代工的芯片,性能较5nm将提升50%,能耗降低50%。

           当前全球最大的芯片代工商台积电,在近几个季度的财报分析师电话会议上,均透露他们的这一工艺在按计划推进,据了解,台积电计划今年下半年风险试产,明年大规模量产。

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