根据网友@i冰宇宙在微博上披露的消息称，三星UFS2.1标准闪存技术将在今年下半年量产，预计三星Galaxy S7将会首先搭载这项新技术，并且明年的三星智能手机将全面引入Type-C以及USB PD标准，这意味着未来的S7将拥有更快的充电速度。
按照网友@i冰宇宙在微博上的说法，2016年UFS2.0和emmc 5.1将在旗舰机型中得到普及，但三星S7在闪存技术方面应该依然会快人一步。由于UFS2.1标准的闪存将在今年下半年量产，因此预计将会首先使用到三星S7上。
同时针对当前三星Galaxy系列旗舰机型尚未引入Type-C的状况，在未来的三星S7则会得到改进，并且还将支持全新USB PD标准，这不仅意味着该机的USB连接线将具备正反两面皆可随意插入的特色，而且将带来更快的充电速度，甚至还能够兼容其他数码设备。
而根据此前泄露的信息显示，三星S7的内部开发代号为 “Jungfrau”，不仅将会采用Ultra HD 4K显示屏，而且随着三星全新1600万像素CMOS传感器的推出，或许意味着该机还将在摄像头方面得到升级，并借助该传感器非常纤薄的特色，有望改善摄像头凸起的状况。
另外，早前曝光疑似三星内部的Android M升级计划还显示，三星S7正在测试骁龙820处理器，并且韩国媒体也披露称，三星正在S7上轮流测试骁龙820处理器和三星自主架构芯片（Exynos M1）两款处理器，以便最终确定到底采用那个方案。因此，结合骁龙820处理器在明年第一季出货的传闻，很大程度上也预示着三星S7将会在明年的移动世界大会（MWC）上发布。
