（2005年7月27日，北京讯）近日，IBM推出面向拍照手机、数码相机和其它消费产品的CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器技术和制造服务。相关产品将利用IBM铜工艺制造技术和伊士曼柯达公司颁发的图像传感器知识产权使用许可来生产，为海量消费应用提供业界领先的图像质量。
2004年9月，IBM宣布获得柯达CMOS图像传感器知识产权使用许可，决定与柯达携手开发和制造CMOS图像传感器。上周，柯达宣布位于佛蒙特州伯灵顿的IBM半导体制造厂采用这种工艺为柯达生产的全新300万和500万像素相机提供支持，CMOS传感器均符合要求。
IBM伯灵顿制造厂生产的CMOS传感器基于IBM 0.18微米铜CMOS制造工艺，提供了一个包括具备引脚二极管的四晶体管、3微米像素架构和IBM图像传感器电路库访问权限在内的集成设计工具。IBM CMOS技术为图像传感器提供了业界最为优异的“暗环境”性能，即拍照手机等消费产品所需的一种在低光照条件下的重要相片拍摄能力。
IBM CMOS传感器内置的超薄2.5微米铜堆栈、片上色彩过滤器和显微镜头，可进一步提高图像质量。其中，铜堆栈厚度比标准铝制造工艺大约薄了30%，可在低光照条件中通过增加采光效率（量子效率）来提高相片质量。另外，即使使用更大光圈，传感器的显微透镜角度响应性能依然能够提供优异的相片分辨率和清晰度。
目前，IBM公司是唯一一家基于0.18微米铜CMOS工艺制造图像传感器的供应商。作为首先采用铜制造技术的半导体制造商，IBM成功的铜CMOS生产记录将使制造商和客户大大受益。另外，IBM还为制造商提供了访问其获得行业认可的设计工具和全部电路库的权限。
图像传感器市场增长点正在从CCD（光电荷耦合器件）转变为基于CMOS的传感器。当前，在数码成像产品领域，由于图片质量较高，CCD技术主宰着传感器市场。而与CCD技术相比，CMOS技术具有低能耗、高集成度和低生产成本等对客户来说极其重要的优势。特别是，IBM的制造技术路线图能够生产其尺寸和性能规格接近当今CCD的CMOS图像传感器。
IBM系统与科技事业部半导体产品副总裁Tom Reeves表示：“目前，IBM正在利用其丰富的铜半导体工艺经验开拓CMOS图像传感器市场，来为客户提供迄今为止我们认为最好的制造技术。IBM利用创新技术生产的传感器能够提供优异的色彩精确度、超低的噪音和极具竞争力的低光照性能，在竞争激烈和客户数量不断增加的今天，可帮助客户提供与众不同的产品。”
柯达图像传感器解决方案业务部总经理Chris McNiffe表示：“我们非常高兴地看到柯达图像传感器技术成为IBM制造全新产品的技术核心。迄今为止，通过充分利用我们在成像和半导体制造领域的强大优势，与IBM之间的合作获得了巨大成功。”