据彭博信息（Bloomberg）报道，日本消费性电子大厂SONY与半导体大厂东芝宣布，继65纳米工艺之后，双方将进一步合作研发45纳米工艺的下一代半导体技术。45纳米工艺较当前最先进的90纳米工艺，生产效率可提升四倍，生产成本也可望大幅缩减。
SONY与东芝自2001年签订合作案以来，即维持长期友好关系。东芝与SONY于日前国际电子器件会议（IEDM）上，宣布完成65纳米工艺研发作业，并展示采用65纳米工艺生产的嵌入式DRAM。
在双方友好关系下，合作范围将持续延伸至45纳米结点，投资费用约200亿日圆（约1.89亿美元），将由双方共同承担，同时将在东芝横滨及大分厂两地进行研发及试产，预定2005年年底前完成研发作业，而大分厂试产线未来也将做为SONY、东芝与IBM共同研发的“Cell”芯片生产线。
NY日前宣布，2004~2006年三年间将投入5000亿日圆的研发经费，此次计划即是其中的一环。