据IC渠道商指出，三星电子（Samsung）于2004年年初时便将其12英寸厂中约5000片的产能全部更换介电质涂料，由原先大量采用的ONO（氧化氮氧），更换为三氧化二铝，想借更换介电质涂料提高每片晶圆的产出良率。但由于三星所采用的新介电质涂料属于全新尝试，因而造成三星在春节过后，发现所有更换新介电质涂料晶圆片几乎全部无法使用。该公司决定将此部分产能转移，重新投产NAND型Flash芯片组，使三星12英寸厂投产的Flash产能正式超过DRAM，促使近来供货已呈现吃紧的DRAM芯片现货雪上加霜，价格持续上涨，NAND型Flash售价涨势反而趋缓。
DRAM芯片渠道商表示，近来在DRAM芯片现货市场中，三星的芯片已到“一片难求”的地步。原先各大DRAM芯片渠道商均认为，春节过后市场购买力理应转弱，同时供给量也不会出现变化，DRAM芯片现货报价恐将回软。但在DRAM现货市场需求量未见转弱，加上DRAM芯片制造商供应量减少的双重影响下，造成DRAM芯片现货价走势自春节过后仍一路上涨，当前为止仍未见转弱迹象。
造成整体DRAM芯片现货市场供应量骤降的原因与三星电子在制造上出现的一些小问题有关。三星指出，该公司旗下12英寸厂在2003年年底到2004年年初时，已陆续转换原用于制造DRAM芯片的介电材质，将过去使用的ONO材料约5000片产能，改为采用三氧化二铝，其余则持续采用ONO材质，其目的是希望借更换材料，提高三星12英寸厂的产出性能。
更换新介电质对DRAM芯片厂而言属全新且大胆的尝试，因此让三星此批新投入的5000片产能几乎面临全部产出良率过低的状态，因而三星决定将此部分产能，全部改投利润较高的NAND型Flash产品。
三星指出，由于更换新介电质后，需全面重新调整工艺及设备参数，一经采用后便无法将这部分产能转回再采用旧的介电质涂料重新生产DRAM芯片。因此使当前三星12英寸厂的产能分配情况出现逆转，NAND型Flash所占产能由于此5000片转做Flash，因此正式超过DRAM芯片产能。