半导体技术调查公司——加拿大Semiconductor Insights日前在一项调查结果中指出：英特尔2004年2月2日发表的新款奔4处理器（开发代号：Prescott）使用了应变硅技术。此前英特尔已经明确表示要采用90nm工艺的应变硅技术。应变硅技术是一种对晶体管沟道部分的硅施加应力使其变形、以此提高载流子迁移率的技术。英特尔此次发布的Prescott最高工作频率是3.4GHz。

    为了给硅施加应力，在晶格常数高于硅的硅锗膜上生成了硅膜。由于硅膜在保持晶格常数的同时生成，这样就会在硅膜上产生张力。Semiconductor Insights并没有说明以何种方法证实Prescott使用了应变硅技术。一般来说，可以通过SIMS（次级粒子质谱）进行分析，即向芯片上照射铯离子等，然后分析溅射出的离子。如果真的使用了硅锗膜，那么就应该可以从沟道部分得到锗。

    Semiconductor Insights的调查结果显示，除此之外，Prescott还应用了7层铜布线技术、镍硅化物技术及自主改进的PMOS技术和NMOS技术。镍硅化物用于源极和漏极，作用是减小电阻。