日前，英特尔表示，他们已很好的掌握了65纳米芯片制造技术，并以此打造出了全新的SRAM存储芯片，新品将于2005年开始通过300毫米晶元批量生产。

    据悉，英特尔65纳米工艺采用了公司第二代的拉伸硅技术，铜连接架构和低介电常数绝缘体。

    英特尔65纳米的SRAM芯片容量为4MB，其内每个单元的面积为0.57平方微米，每个单元内含6个晶体管，整个芯片晶体管数量超过1千万个。芯片采用的晶体管的栅极长度为35纳米。制造芯片的流程中科同时整合8组铜连接，同时低介电常数绝缘体可降低电耗、并提高芯片内信号处理、流动的速度。

    此次，英特尔在美国俄勒冈州的Hillsboro 300毫米晶元芯片厂完成了65纳米芯片初样的打造任务。

    英特尔表示，65纳米芯片的制造模具有效扩展了现存193纳米波长印刷电路板设备的用途。英特尔可以利用打造90纳米芯片的设备继续打造65纳米芯片，但设备需要得到改进。

以下是英特尔65纳米芯片工艺的图片资料：

65纳米SRAM芯片的单元示意图

英特尔将每两年推出一种全新的芯片制造工艺

英特尔在俄勒冈州Hillsboro的300毫米晶元芯片厂

尖端的OPC模具示意图