蓝色巨人IBM又出惊人之举，在目前的内存技术上作出了突破性贡献。这一贡献不仅仅是对于内存本身，将由此引发一系列的硬件变革。

    今天上午，IBM与Infineon宣布研发出集成高密度的磁性随机访问存储器（MRAM），而且宣称这一产品将会在2005年投入市场。

    Magnetic Random Access Memory (MRAM)结合了电磁学和硅制造技术，在MRAM中，芯片的每一个内存单元中建立一个微小的磁场。而计算机通过测试该磁场在给定时间里所带的电阻力来决定其信息是“1”或“0”等二进制数据。

    而目前的闪存（flash memory），在某种程度上也是利用不同量级的电阻值，但是它需要不断的电流来进行0、1变换。而在理论上，MRAM将使用相当少的电量并且存储数据比现在的闪存更加快捷。

    在此前，IBM公司曾公开展示过MRAM电路，日本的VLSI显示MRAM芯片有能力进行量产。

    该芯片采用.18微米工艺，它最大的好处是写速度相当快。在flash内存中，写过程要花几毫秒。而MRAM则只花几纳秒就够了。

    据公司方面讲，采用了MRAM技术之后，能够使未来的计算机开关机的速度就如同开关灯泡一样快。而且它的另一个好处是由于是磁性作用的，就不会像DRAM一样断电后丢失数据。这将节省好多时间，因为大部分数据都会保存在内存单元中。

    除了应用于电脑中，这种新型内存将能够广泛应用于手机，PDA和一些数码设备中。