目前0.13微米制程在处理器和显卡芯片上都是常见的工艺了，但是在纳米级工艺之前我们又迎来了0.11微米制程。在内存领域首先应用这项技术的是美光DDR400内存，美光公司在周一宣布它们的512Mbit DDR400内存颗粒已经问世，本周他们将这种PC3200颗粒文献说明和样品送往圣何塞的JEDEC抽样检验。

    512Mbit DDR400内存颗粒是今后双道DDR内存的最高密度颗粒，它能够帮助双道DDR内存提高计算机的性能。美光人士表示美光的这种512Mbit DDR400颗粒很可能马上通过认证，如果一切在计划中，那么美光双道DDR400内存模组将在2003年中问世。

    美光这种内存颗粒不但采用了0.11微米技术，而且还与JEDEC给出的DDR400规格兼容。美光公司是世界上唯一一家将内存研究和内存生产集于一身的，它们不但生产目前流行的内存，而且还在不懈的研发高性能内存。