圣诞期间，Micron公司推出了首款采用0.11微米技术打造的1GB内存模组（128MB芯片），Micron的新品1GB DDR内存采用了TSOP封装技术，电压标准为2.5伏特，兼容任何采用DDR内存的系统。

    尽管三星公司目前是内存产业的第一位企业，但其目前尚未推出1GB容量的DDR内存，这一次Micron走在了前面。据悉，目前Micron只会少量向市场出货1GB容量DDR内存。

    目前，韩国现代公司在芯片打造技术方面较为领先，他们采用的是0.10微米技术，但公司最大规格的DDR内存模组也只有512MB。现代表示，明年他们会推出1GB容量的DDR内存产品。

    另据悉，日前台湾的TwinMOS公司也发布了1GB规格的DDR333内存模组，新品可兼容英特尔、AMD的台式机、服务器和工作站系统。