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三星:引领内存技术潮流

类型:原创 作者:【中关村在线 上海报道小组】 日期:2002-09-03 11:11:59



 

    在三星展台上看到了一样非常特别的展品,它是一张直径为12吋的晶元。目前,三星已经可以生产12吋晶元并且利用0.13微米来生产成本更低的大容量显存颗粒了,目前能够掌握这项技术的并且已经推出实际产品的厂商并不多,Intel是一个,AMD依然距离12吋晶元技术还有一定的距离。

三星称12吋晶元和0.13微米制程的引入使得其产量比8吋晶元下提高大约2.5倍左右。可以有效的降低内存颗粒的单位成本和提高其存储密度。


三星2GB DDR内存模组

这种内存模组的供电电压依然是2.5V,工作频率为266MHz,主要用于服务器和工作站,整个内存模组上使用了36片512Mb 内存颗粒,目前已经量产,而且功耗较低并且通过了Intel、Compaq、IBM等主要厂商的认证。

三星2GB DDR模组、1GB unbuffered DDR模组、PC 1066Mhz Rambus DIMM、PC3200(DDR400)模组。

 


16/32Mb 低功率SGRAM颗粒和256/512Mb Mobile SDRAM颗粒


512Mb Mobile SDRAM颗粒


三星1Gb NAND闪存颗粒


三星闪存卡

 





资料来源:中关村在线
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